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DMPH4029LFGQ-13 零件图片(仅供参考)

DMPH4029LFGQ-13
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DMPH4029LFGQ-13 规格参数

您是否正在寻找一颗能在汽车电子严苛环境中稳定担当功率开关重任的MOSFET?DMPH4029LFGQ-13正是为您而来。这颗P通道MOSFET拥有40V耐压和高达22A的电流处理能力,其核心价值在于极低的导通电阻,能显著减少开关过程中的功率损耗,让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它基于先进的MOSFET技术,具备快速的开关响应和优异的散热性能。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 175°C)和符合AEC-Q101的汽车级品质,让它能轻松应对引擎舱、车身控制等复杂环境下的挑战,为您提供长久可靠的性能保障。选择它,就是为您的设计注入一份高效与安心的动力。

  • 型号:DMPH4029LFGQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:POWERDI3333-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Ta),22A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):29mOhm @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1626 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:POWERDI3333-8
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • DMPH4029LFGQ-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMPH4029LFGQ-13 基本参数:

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