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还在为寻找一颗既能承受高压大电流，又具备极低损耗的P通道MOSFET而烦恼吗？DMPH4029LFGQ-7就是您期待的答案。这颗车规级功率MOSFET，拥有40V的耐压和高达22A的电流承载能力，其核心魅力在于仅29mOhm的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

它专为要求严苛的汽车电子与高效工业应用而生。优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关动作快速而干净，极大提升了动态响应速度。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优异的散热特性更能让芯片性能稳定发挥。选择它，就是为您的设计注入一颗高效、可靠的心脏。

• 型号:DMPH4029LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta），22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29mOhm @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1626 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMPH4029LFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。