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还在为高电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题头疼吗？让DMPH6023SK3Q-13为您带来焕然一新的解决方案。这颗强大的P沟道MOSFET，能轻松承载高达35A的连续电流，并以低至33毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，直接提升您的系统能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它专为汽车电子等严苛环境而生，拥有60V的漏源电压和-55°C至175°C的宽工作温度范围，通过了AEC-Q101认证，确保在振动、高温、低温等各种挑战下稳定运行。其优化的开关特性（低栅极电荷）让您实现更高效、更快速的功率切换。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能核心。

• 型号:DMPH6023SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2569 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMPH6023SK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。