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还在为复杂的双路负载开关设计而烦恼吗？DMPH6050SPD-13为您提供一站式的高效解决方案。这颗双P沟道MOSFET阵列，集成了两个高性能的开关通道，让您轻松实现紧凑的电路布局，同时凭借26A的高电流处理能力和低至48毫欧的导通电阻，确保功率传输过程中的损耗降至最低，系统运行更凉爽、更持久。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热性能出众，并能承受高达175°C的结温，完全符合汽车级AEC-Q101标准，可靠性毋庸置疑。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载切换，它都能让您的设计更加稳健高效，助您快速打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMPH6050SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1525pF @ 30V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMPH6050SPD-13，Diodes产品一站式供应商。