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还在为复杂的电源开关设计而头疼吗？DMPH6050SPDQ-13双P沟道MOSFET阵列就是您的得力助手！它能轻松驾驭高达26A的大电流，同时凭借超低的导通电阻，大幅减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围极广，从-55°C到175°C都能稳定工作，完美适配汽车动力系统、车身控制等应用。其集成化的双通道设计和紧凑的PowerTDFN封装，让您能简化电路布局，节省宝贵空间，显著提升设计可靠性与生产效率。

• 型号:DMPH6050SPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1525pF @ 30V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMPH6050SPDQ-13，Diodes产品一站式供应商。