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DMPH6250S-7 零件图片(仅供参考)

DMPH6250S-7
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DMPH6250S-7 规格参数

还在为复杂的功率控制设计头疼吗?让DMPH6250S-7来为您轻松化解!这颗高性能P通道MOSFET,就像一位高效能的“电力守门员”,能帮助您在电路中精准、可靠地控制电流的通断与流向。

凭借其60V的耐压能力和2.4A的连续电流承载能力,它能让您的电源管理、电机驱动或负载开关应用运行得更稳定、更高效。其极低的导通电阻(典型值155毫欧)意味着更少的能量损耗和发热,直接为您提升系统能效。同时,它符合AEC-Q101车规标准,工作温度横跨-55°C至175°C,确保即使在最严苛的汽车环境中也能表现出色。

选择它,您就选择了一个集高性能、高可靠性与小巧SOT-23封装于一体的完美解决方案,让您的产品设计事半功倍,竞争力倍增。

  • 型号:DMPH6250S-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):155 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):512 pF @ 30 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):920mW
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • DMPH6250S-7,Diodes产品一站式供应商。
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DMPH6250S-7 基本参数:

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