您是否正在寻找一颗能轻松驾驭60V电压、高效控制2.4A电流的可靠开关?DMPH6250SQ-7正是您理想的答案。这颗P沟道MOSFET凭借其低至155毫欧的导通电阻,能显著降低导通损耗,让您的电源路径管理更加高效,直接提升终端产品的能效和续航表现。
它专为严苛环境打造,符合汽车级AEC-Q101标准,确保从-55°C到175°C的极端温度下稳定工作,让您的汽车电子或工业应用无惧挑战。同时,其紧凑的SOT-23封装和优化的开关特性(低栅极电荷),让您能轻松实现高密度板级设计和快速的电路响应,简化设计流程,加速产品上市。
- 型号:DMPH6250SQ-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T\\u0026R
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):155 毫欧 @ 2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.3 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):512 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):920mW
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- DMPH6250SQ-7,Diodes产品一站式供应商。