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还在为负载开关或电源路径管理寻找一颗高效、可靠的“守门员”吗？DMS2085LSD-13正是您理想的答案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有20V耐压和3.3A的持续电流能力，其核心魅力在于仅85毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽，电池续航更持久。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷和输入电容让开关动作干净利落，响应迅速。集成的肖特基二极管功能，让您无需额外器件即可处理续流，轻松简化电路板布局。无论是用于便携设备的电源隔离，还是电机驱动中的方向控制，DMS2085LSD-13都能以出色的性能和紧凑的8-SO封装，帮助您打造更高效、更可靠、更具成本优势的电子产品。

• 型号:DMS2085LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 3.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:353 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMS2085LSD-13，Diodes产品一站式供应商。