我们为全球各个行业提供Diodes DMS2220LFW-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的电源开关效率低下而担忧吗？让DMS2220LFW-7为您带来改变。这颗由Diodes Incorporated打造的P沟道MOSFET，是专为提升能效而生的精悍之选。它能在仅1.8V的低驱动电压下迅速响应，以低至95毫欧的导通电阻，让电流通过时的损耗大幅降低，直接为您节省宝贵的电池电量，提升终端产品的续航体验。

它集成了肖特基二极管，提供额外的电路保护。其紧凑的8-DFN表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内布局，轻松实现高效的负载切换与电源管理。无论是驱动小型电机、管理便携设备的电源路径，还是作为信号开关，DMS2220LFW-7都能以2.9A的电流能力和20V的耐压，稳定可靠地完成任务，助您打造更高效、更精巧的电子产品。

• 型号:DMS2220LFW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-DFN3020（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:632 pF @ 10 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN3020（3x2）
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• DMS2220LFW-7，Diodes产品一站式供应商。