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还在为电源转换效率瓶颈而困扰吗？DMS3012SFG-13正是为您突破限制而生的利器。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和12A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的10毫欧导通电阻，能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的整体能效。

它能让您的设计轻松应对高频率开关需求，得益于仅14.7nC的栅极电荷，开关速度迅捷无比，从而允许使用更小尺寸的电感和电容，优化BOM成本和PCB空间。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，它都能确保稳定、高效的功率控制。采用紧凑的PowerDI3333-8封装，让您在追求高性能的同时，毫不妥协于产品的轻薄化设计。

• 型号:DMS3012SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4310 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:890mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMS3012SFG-13，Diodes产品一站式供应商。