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还在为电源路径上的效率瓶颈而烦恼吗？DMS3012SFG-7正是为您破局而来的高效N沟道MOSFET。它能让您轻松驾驭高达12A的连续电流，同时凭借低至10毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗，直接将更高的能效和更低的发热注入您的系统。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个反应迅速、损耗极低的电子开关。在您的DC-DC转换器中，它能提升电压转换效率；在电机驱动电路里，它确保动力输出强劲而稳定；作为负载开关，它能实现干净利落的电源通断管理。其紧凑的PowerDI3333封装，让您在追求高性能的同时，无需牺牲宝贵的电路板空间。

更令人放心的是，它拥有宽泛的工作温度范围和内置保护特性，确保您的设计在各种环境下都稳健可靠。选择DMS3012SFG-7，就是为您的产品选择了一个高效、紧凑且坚固的动力核心。

• 型号:DMS3012SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4310 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:890mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMS3012SFG-7，Diodes产品一站式供应商。