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还在寻找那颗能平衡性能、效率与尺寸的“全能型”MOSFET吗？DMS3014SFG-7正是为您而来的答案。它能让您的电源转换或电机驱动电路运行得更冷静、更高效，显著降低系统功耗与温升。

这颗N沟道MOSFET拥有9.5A的强大电流处理能力和仅13毫欧的低导通电阻，意味着它能以极小的电压损失通过大电流，直接提升您的终端产品能效。其低栅极电荷和优化的开关特性，让您轻松实现高频开关操作，同时保持出色的热管理。

无论是用于空间受限的便携设备，还是要求长期可靠性的工业应用，DMS3014SFG-7都能以PowerDI3333-8微型封装和宽工作温度范围，为您提供稳定、高效的动力核心，简化设计，赋能创新。

• 型号:DMS3014SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4310 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMS3014SFG-7，Diodes产品一站式供应商。