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在追求极致效率与紧凑设计的今天，您是否渴望一颗能同时征服高电流与低损耗的MOSFET？DMS3014SFGQ-7正是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和9.5A的强劲电流承载能力，而其核心魅力在于低至14.5毫欧的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让热量管理变得更轻松。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，占板面积极小，完美适配空间受限的现代电子设备。无论是汽车电子中的动力系统，还是消费电子中的快速充电模块，它都能确保高效、稳定的电源切换。选择它，就是为您的产品选择了一份AEC-Q101车规级认证的可靠保障，让您在设计高性能应用时信心十足，高效推进项目落地。

• 型号:DMS3014SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 10.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4310 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMS3014SFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。