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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有极低导通损耗的紧凑型MOSFET而烦恼吗？DMS3014SSS-13正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能在10.4A的电流下，将导通电阻牢牢控制在惊人的13毫欧，这意味着更少的能量损耗、更低的发热以及更高的系统整体效率，直接为您的产品赋予能效竞争优势。

它集成了体肖特基二极管，让您在驱动电机或管理电感性能量时更加轻松省心，无需额外增加续流二极管，既节省了PCB空间，又提升了电路可靠性。其4.5V的低驱动电压让它可以与多种主流控制芯片无缝协作，而宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则确保了它在各种环境下都能稳定发挥。简而言之，DMS3014SSS-13能让您以更简单的设计，实现更高效、更可靠的电源切换与功率控制。

• 型号:DMS3014SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2296 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.55W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMS3014SSS-13，Diodes产品一站式供应商。