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还在为寻找一颗高效、可靠的功率开关而烦恼吗？DMS3015SSS-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有11.9毫欧的超低导通电阻，能让您在处理高达11A电流时，大幅降低导通损耗，提升整体能效，同时其优异的开关特性有助于减少发热，让系统运行更凉爽稳定。

它集成了肖特基体二极管，为您简化电路设计，提供快速的续流通道。无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，其30V的耐压和宽广的工作温度范围都能让您应对自如。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMS3015SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.9 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1276 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.55W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMS3015SSS-13，Diodes产品一站式供应商。