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还在寻找那颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗？DMS3016SSS-13 N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能在仅4.5V的低驱动电压下高效开启，以低至13毫欧的导通电阻，让高达9.8A的电流顺畅通过，极大降低导通损耗，为您的高效电源、电机驱动或负载开关设计注入强劲动力。

这颗芯片内置体肖特基二极管，为您提供额外的电路保护。其紧凑的8-SO表面贴装封装，让您轻松实现高密度PCB布局，节省宝贵空间。无论是提升能效、简化散热，还是优化整体系统成本，DMS3016SSS-13都能以卓越的电气特性和可靠性，助您一臂之力。

• 型号:DMS3016SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1849 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.54W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMS3016SSS-13，Diodes产品一站式供应商。