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还在寻找一颗能兼顾高效开关与低导通损耗的MOSFET吗？DMS3016SSSA-13正是为您而生的解决方案。它能让您的低压大电流应用脱胎换骨，凭借低至13毫欧的导通电阻和高达9.8A的电流能力，显著减少功率损耗，提升整体能效。

这颗芯片能轻松胜任电源转换、电机驱动和负载开关等关键任务。其低栅极电荷和阈值电压让驱动设计变得简单高效，快速开关特性确保系统响应迅捷。内置的体二极管更进一步增强了电路的可靠性。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的核心动力。

• 型号:DMS3016SSSA-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1849 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:1.54W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMS3016SSSA-13，Diodes产品一站式供应商。