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您正在寻找一颗能“双管齐下”、高效完成功率切换任务的芯片吗？DMS3019SSD-13正是为您而来。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平门驱动的通道，每通道可轻松驾驭高达7A的连续电流，而其超低的导通电阻（仅15毫欧）能大幅减少功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它能让您轻松实现紧凑电路设计中的双路负载控制、电机驱动或电源开关功能。其2.4V的低开启电压，与现代微控制器完美匹配，让驱动变得异常简单。无论是空间受限的便携设备，还是需要可靠双路开关的工业模块，DMS3019SSD-13都能以出色的性能和稳定的表现，助您一臂之力。

• 型号:DMS3019SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A，5.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1932pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.19W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMS3019SSD-13，Diodes产品一站式供应商。