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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又紧凑的“心脏”吗？DMT10H009LFG-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和惊人的低导通电阻（最低8.5毫欧），能大幅降低导通损耗，让电能转换更高效，系统运行更凉爽。

它能让您轻松驾驭从13A到50A的宽范围电流，其快速开关特性（栅极电荷仅41nC）显著减少了开关损耗，特别适合高频开关电源应用。无论是空间受限的便携设备，还是对散热要求严苛的工业系统，其PowerDI3333-8封装都能提供卓越的散热性能和空间利用率，助您打造更强大、更可靠的产品。

• 型号:DMT10H009LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2361 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H009LFG-13，Diodes产品一站式供应商。