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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关芯片吗？DMT10H009LFG-7正是为您而来的解决方案。它集100V耐压、高达50A的电流承载能力于一身，却拥有仅8.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在电源转换或电机驱动应用中的导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333-8表面贴装封装，不仅节省您宝贵的电路板空间，其优异的散热设计更能帮助您轻松应对高功率密度挑战。无论是快速开关的DC-DC电路，还是需要持续大电流的电机驱动，它都能提供稳定、迅捷的响应。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”，让您轻松实现能效升级与可靠性飞跃。

• 型号:DMT10H009LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2361 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H009LFG-7，Diodes产品一站式供应商。