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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？DMT10H009SPS-13正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达80A（Tc）的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅8.5毫欧），能大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，不仅节省宝贵的电路板空间，其优化的热性能更能让功率稳定释放。搭配较低的栅极电荷，让开关控制变得轻松又迅速。选择它，就是为您的工业电源、汽车电子或计算设备选择了一颗强劲、可靠且高效的心脏，轻松应对高功率密度设计的挑战。

• 型号:DMT10H009SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT10H009SPS-13，Diodes产品一站式供应商。