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还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？DMT10H009SSS-13正是您期待的答案。这颗高性能MOSFET专为61V至100V的中高压应用场景而生，它能轻松胜任电机驱动、电源转换等关键任务，通过优异的开关特性大幅降低系统损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

采用紧凑的SO-8封装，它让您在有限的PCB空间内实现强大的功率处理能力。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发更具竞争力的新方案，选择它，就是选择了一条可靠、高效的技术路径，让您的设计脱颖而出。

• 型号:DMT10H009SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• DMT10H009SSS-13，Diodes产品一站式供应商。