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想象一下，在您的电源或电机驱动设计中，开关器件几乎不产生额外的热量，系统效率轻松突破新高。DMT10H010LCT正是为实现这一愿景而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和98A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅9.5毫欧），能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它能让您轻松驾驭高频开关场景，得益于优化的栅极电荷，开关速度快，损耗小。无论是处理持续的功率流还是应对瞬间的电流峰值，它都表现出色。其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的长期稳定性和可靠性，是您打造高效、紧凑、耐用电力系统的理想选择。

• 型号:DMT10H010LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），139W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMT10H010LCT，Diodes产品一站式供应商。