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还在为电源设计中的效率瓶颈和散热难题寻找突破口吗？DMT10H010LPS-13正是为您而来的高效解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的100V N沟道MOSFET，凭借其低至9.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源适配器运行得更凉快、更高效。

它不仅能处理高达9.4A的连续电流，其优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）更能让您轻松实现高速开关，提升整体系统响应速度与频率。采用先进的PowerDI5060封装，在提供强大功率处理能力（139W Tc）的同时，保持了极小的占板面积，完美契合您对高功率密度和紧凑布局的设计追求。

• 型号:DMT10H010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta），98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），139W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT10H010LPS-13，Diodes产品一站式供应商。