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还在寻找那颗能兼顾高效率与高可靠性的“心脏”级功率开关吗？DMT10H010SPS-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和惊人的低导通电阻（最低仅8.8毫欧），让您在处理高达113A的连续电流时，也能将导通损耗降至最低，从而显著提升整个电源系统的效率，并有效缓解散热压力。

它专为 demanding 应用而优化。极低的栅极电荷和输入电容特性，让您能够轻松实现高速开关，这不仅有助于缩小外围元件尺寸，更能让您的DC-DC转换器、电机驱动器或逆变器运行得更快、更凉、更安静。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，兼具优异的散热性能和紧凑的占板面积，是您打造高功率密度、高可靠性现代电子产品的理想选择。

• 型号:DMT10H010SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta），113A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4468 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT10H010SPS-13，Diodes产品一站式供应商。