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您正在寻找一颗既能扛住高压大电流，又能在高效与可靠间取得完美平衡的MOSFET吗？DMT10H014LSS-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和8.9A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅15毫欧），能大幅减少功率损耗，让您的电源设计更高效、更凉爽。

它专为汽车级（AEC-Q101）可靠性要求而打造，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在恶劣环境下稳定运行。优化的栅极电荷让开关速度更快，损耗更低，无论是用于电机控制、电源开关还是负载切换，都能让您的系统性能显著提升，设计变得更简单、更可靠。

• 型号:DMT10H014LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT10H014LSS-13，Diodes产品一站式供应商。