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还在为功率转换效率不高、器件发热严重而烦恼吗？DMT10H015LCG-13 N沟道MOSFET就是为您而来的高效解决方案。它拥有100V的耐压和高达34A（Tc）的电流承载能力，配合低至15毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

这颗芯片能为您做什么？它能让您在紧凑的8DFN封装内，获得强大的功率处理性能。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速干净的开关动作，非常适合高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关。选择它，意味着您选择了更高效的热管理、更小的板级空间占用以及更可靠的整体系统性能，助您轻松应对各种严苛的设计挑战。

• 型号:DMT10H015LCG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H015LCG-13，Diodes产品一站式供应商。