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还在为功率转换效率不高、发热严重而头疼吗？DMT10H015LCG-7 N沟道MOSFET就是为您解决这些痛点的利器。它能轻松驾驭高达100V的电压和34A的连续电流，凭借其低至15毫欧的导通电阻，显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统整体能效，让设备运行更凉爽、更节能。

这颗芯片专为要求严苛的应用而优化。其低栅极电荷和优化的开关特性，让您能够实现更高频率的开关操作，从而可以使用更小的外围磁性元件，有效缩小产品体积、降低成本。无论是电源适配器、电机驱动还是LED照明，它都能帮助您打造出更紧凑、更高效、更具市场竞争力的解决方案。

• 型号:DMT10H015LCG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H015LCG-7，Diodes产品一站式供应商。