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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？DMT10H015LFG-13正是为此而生。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达42A（Tc）的连续电流能力，让您在设计大功率转换或电机驱动电路时信心十足。

它的核心价值在于极致的效率提升。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下低至13.5毫欧，这意味着在导通状态下能量损耗被大幅削减，让您的系统运行更凉爽、更节能。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您能够轻松实现快速、高效的开关控制，简化驱动电路设计。

采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，它非常适合空间受限的高功率密度应用。无论是提升电源适配器的能效，还是增强电机驱动的可靠性，DMT10H015LFG-13都能成为您手中可靠且高效的“能量阀门”，助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMT10H015LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H015LFG-13，Diodes产品一站式供应商。