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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？DMT10H015LK3-13正是为您而来的解决方案。这颗100V N沟道MOSFET拥有高达50A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻仅15毫欧，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用坚固的TO-252封装，散热性能出色，并符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，确保在恶劣环境下也能稳定工作。无论是用于汽车电子、工业电源还是其他高可靠性应用，它都能让您轻松实现高功率密度和高效率的设计目标，提升产品整体性能和市场竞争力。

• 型号:DMT10H015LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMT10H015LK3-13，Diodes产品一站式供应商。