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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMT10H015SK3-13就是您的高效解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达54A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的14毫欧导通电阻。这意味着在开关电源、电机驱动或同步整流电路中，它能大幅降低导通损耗，直接将更多的电能输送给负载，而非转化为热量，让您的系统运行更凉爽、更高效。

同时，它卓越的开关特性低栅极电荷和优化的输入电容，让开关动作干净利落，显著减少开关损耗，特别适合高频应用场景。采用TO-252封装，易于焊接和散热，帮助您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且节能的“心脏”，让性能提升立竿见影。

• 型号:DMT10H015SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 54A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），4.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMT10H015SK3-13，Diodes产品一站式供应商。