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还在寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和易用性的功率开关吗？DMT10H025LK3-13就是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为汽车级和工业级高压、大电流应用精心打造，旨在让您的电源设计事半功倍。

它能为您的系统提供强劲的100V/47.2A开关能力，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，直接提升整体能效，让热量管理变得更轻松。同时，优化的动态参数确保了快速、干净的开关行为，帮助您简化驱动电路设计，实现更高的工作频率和更紧凑的布局。

更重要的是，它通过了AEC-Q101认证，拥有宽达-55°C至150°C的工作结温范围，并采用成熟的TO-252封装，为您带来从设计到量产的全程可靠保障，让您能够自信地应对最严苛的应用环境挑战。

• 型号:DMT10H025LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):47.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMT10H025LK3-13，Diodes产品一站式供应商。