我们为全球各个行业提供Diodes DMT10H025SK3-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起大梁、同时保持冷静高效的功率开关吗？DMT10H025SK3-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和41.2A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅23毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽广（-55°C ~ 150°C），确保在振动、高低温冲击下依然稳定可靠。优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您轻松实现快速切换，提升系统频率和响应速度。无论是汽车电子、工业电源还是其他高可靠性应用，它都能让您的设计脱颖而出，性能表现始终如一。

• 型号:DMT10H025SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):41.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1544 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMT10H025SK3-13，Diodes产品一站式供应商。