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还在寻找那颗能平衡性能、效率与成本的“全能型”MOSFET吗？DMT10H025SSS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和7.4A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅23毫欧@10V），能显著降低开关损耗和发热，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它旨在简化您的设计并提升系统可靠性。优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动设计更轻松，开关速度更快。无论是用于工业电源、消费类适配器，还是电机控制，它都能帮助您轻松实现更高的功率密度和更长的产品寿命，是追求卓越性能与价值的工程师们的理想之选。

• 型号:DMT10H025SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1544 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT10H025SSS-13，Diodes产品一站式供应商。