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还在为功率转换效率难以提升而困扰吗？让DMT10H072LFV-13来改变这一切！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，是专为高效能、高可靠性应用而生的功率开关核心。它拥有100V的耐压能力和低至62毫欧的导通电阻，能显著降低系统工作中的能量损耗，直接为您带来更低的运行温度和更高的整体效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计更“冷静”，让电机驱动更“有劲”，让负载管理更“聪明”。其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保高速开关动作干净利落，轻松应对高频应用场景，同时有助于降低电磁干扰。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，它不仅节省电路板空间，其强大的散热能力更能确保在-55°C至150°C的严酷温度范围内稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且高效的动力之心。

• 型号:DMT10H072LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:228 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H072LFV-13，Diodes产品一站式供应商。