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您是否正在寻找一颗能扛起大功率重任，同时又足够可靠，能经受住汽车环境考验的“核心开关”？DMT12H007LPS-13正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有120V耐压和高达90A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的7.8毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的车载电源、电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

它专为汽车级（AEC-Q101）应用而生，从-55°C到150°C的极端温度下都能稳定工作，为您提供坚实的可靠性保障。采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，实现了优异的散热性能。选择DMT12H007LPS-13，就是选择用一颗芯片轻松提升系统的整体能效与功率密度，让您的设计在性能与可靠性上双双赢得先机。

• 型号:DMT12H007LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:120 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3224 pF @ 60 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT12H007LPS-13，Diodes产品一站式供应商。