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还在为寻找一颗性能与尺寸完美平衡的功率开关而烦恼吗？DMT12H065LFDF-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有115V的耐压和4.3A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅65毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用小巧的U-DFN2020-6表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优化的栅极电荷特性让开关速度更快，损耗更低。无论是打造高效的充电器、紧凑的电源模块，还是灵敏的电机控制电路，它都能让您轻松实现高功率密度与高可靠性的设计目标，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:DMT12H065LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:115 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:252 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT12H065LFDF-13，Diodes产品一站式供应商。