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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？DMT12H065LFDF-7正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有115V的漏源电压和4.3A的连续电流能力，其核心魅力在于仅65毫欧的超低导通电阻，能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对DC-DC转换、电机控制或负载开关等应用。得益于低栅极电荷和优化的开关特性，它可以实现快速切换，进一步减少开关损耗，提升整体能效。其紧凑的U-DFN2020-6封装，非常适合空间受限的现代电子设计，帮助您打造更小巧、更强大的产品。

• 型号:DMT12H065LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:115 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:252 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT12H065LFDF-7，Diodes产品一站式供应商。