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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT12H090LFDF4-13正是为您破解这一难题的利器。这颗N沟道MOSFET拥有115V的漏源电压和3.4A的连续电流能力，其核心魅力在于仅90毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更高效。

它采用紧凑的X2-DFN2020-6表面贴装封装，不仅能节省宝贵的电路板空间，其优异的散热特性更能确保芯片在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作。无论是用于同步整流提升适配器能效，还是驱动电机和LED，它都能让您轻松实现更高功率密度和更可靠的设计，是追求卓越性能工程师的明智之选。

• 型号:DMT12H090LFDF4-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:115 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:251 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-PowerXDFN
• DMT12H090LFDF4-13，Diodes产品一站式供应商。