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您正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、让电机驱动更强劲有力的核心器件吗？DMT15H067SSS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有150V耐压和高达13A（Tc）的电流承载能力，而其最闪耀的亮点在于仅67毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。

同时，其极低的栅极电荷和输入电容特性，让您能轻松实现高速开关，减少驱动损耗，特别适用于高频DC-DC转换器、电机控制等对效率与响应速度要求苛刻的场景。采用紧凑的8-SO封装，它帮助您高效利用PCB空间，打造更小巧、更强大的终端产品。

• 型号:DMT15H067SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67 毫欧 @ 4.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:425 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT15H067SSS-13，Diodes产品一站式供应商。