我们为全球各个行业提供Diodes DMT2004UFDF-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时征服高电流、低损耗和紧凑空间三大挑战的功率开关吗？DMT2004UFDF-13正是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有24V耐压和高达14.1A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅6毫欧@9A,10V），能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，运行更凉爽。

它专为要求苛刻的应用而设计。其汽车级（AEC-Q101）品质和-55°C至150°C的宽广工作结温，让它能从容应对汽车电子、工业控制等严酷环境。同时，仅2x2毫米的U-DFN封装，让您在追求高功率密度时无需牺牲宝贵的电路板空间。无论是用于负载开关、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。

• 型号:DMT2004UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 14.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta），12.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT2004UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。