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还在寻找那颗能兼顾高效率与高可靠性的功率开关吗？DMT2004UFG-13就是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为汽车级（AEC-Q101）和严苛工业应用设计，旨在让您的系统运行得更冷静、更强劲。

它拥有24V的漏源电压和高达70A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻仅5毫欧。这意味着它能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统能效，减少散热负担。同时，其低栅极电荷特性确保了快速的开关响应，让您的控制回路更加敏捷高效。

无论是用于电机驱动、负载开关还是电源转换，DMT2004UFG-13都能凭借其宽温工作范围（-55°C ~ 150°C）和紧凑的PowerDI3333封装，帮助您轻松实现高可靠性、高功率密度的设计目标，让产品竞争力脱颖而出。

• 型号:DMT2004UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT2004UFG-13，Diodes产品一站式供应商。