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还在为电源路径上的效率瓶颈和空间限制而烦恼吗？DMT2005UDV-13双N沟道MOSFET阵列，就是为您破解难题的利器。它能以高达50A的电流和仅7毫欧的超低导通电阻，让您的主板VRM、服务器电源或便携式设备DC-DC电路运行得更凉、更快、更高效，直接将电能损耗降至新低。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333封装，在极致小巧的体积内蕴藏巨大能量，让您的设计轻松实现高功率密度。其优异的开关特性（低栅极电荷）和宽广的工作温度范围，确保从-55°C到150°C的严酷环境下都能稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了强劲、高效且可靠的核心动力。

• 型号:DMT2005UDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060pF @ 10V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT2005UDV-13，Diodes产品一站式供应商。