我们为全球各个行业提供Diodes DMT2005UDV-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT2005UDV-7双N通道MOSFET阵列正是为您的高效设计而来。它凭借仅7毫欧的超低导通电阻和高达50A的电流处理能力，能显著降低导通损耗，让您的设备能量传递更直接、更高效，轻松提升整体能效表现。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333封装，在极小的占板面积内实现了优异的散热性能，确保在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定运行。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，DMT2005UDV-7都能让您的设计更紧凑、更可靠，助您快速打造出具有市场竞争力的高性能产品。

• 型号:DMT2005UDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060pF @ 10V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT2005UDV-7，Diodes产品一站式供应商。