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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？DMT3003LFGQ-13就是您破局的关键。这颗30V、22A的N沟道MOSFET，凭借其低至3.2毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效，直接提升终端产品的续航与性能表现。

它专为要求严苛的应用而生。优异的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高频高效运作，同时简化驱动设计。其汽车级（AEC-Q101）品质和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保无论是在车载电子、工业控制还是高端消费设备中，都能提供稳定可靠的持久动力。

选择DMT3003LFGQ-13，意味着您选择了一种更智能的功率管理方式在紧凑的封装内实现大电流处理能力与卓越散热性能的平衡，助您轻松攻克设计挑战，加速产品上市。

• 型号:DMT3003LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），62W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3003LFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。