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还在寻找那颗能同时征服高电流与高效率挑战的MOSFET吗？DMT3003LFGQ-7就是为您而来的解决方案。它集30V耐压、22A连续电流能力与惊人的3.2毫欧超低导通电阻于一身，旨在让您的电源转换和电机驱动应用彻底告别不必要的能量损耗，运行得更凉、更静、更高效。

这颗采用先进PowerDI3333-8封装的N沟道MOSFET，凭借其优化的栅极特性（Qg仅44nC），能让您轻松实现高速开关，显著降低开关损耗，从而提升系统整体能效。无论是用于汽车电子中的负载切换，还是工业设备里的功率管理，它都能以卓越的稳定性和汽车级（AEC-Q101）的可靠性，助您轻松构建更强大、更耐用的下一代产品。

• 型号:DMT3003LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），62W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3003LFGQ-7，Diodes产品一站式供应商。