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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的“心脏”吗？DMT3004LFG-7 N沟道MOSFET专为 demanding 应用而生。它能让您的电源转换或电机驱动系统以超低损耗运行，其4.5毫欧的超低导通电阻和高达25A的电流承载能力，意味着更少的能量浪费和更出色的散热表现，直接提升终端产品的效率和寿命。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的能量开关与控制。无论是汽车电子的严苛环境，还是工业电源的持续高压，其AEC-Q101车规级品质和宽温工作范围（-55°C ~ 150°C）都提供了坚实保障。同时，优化的栅极电荷和开关特性，助力您的设计在高频下依然保持稳定与高效，是您打造下一代竞争力产品的理想选择。

• 型号:DMT3004LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta），25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3004LFG-7，Diodes产品一站式供应商。