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还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？DMT3004LPS-13将彻底改变您的体验。这颗N沟道MOSFET凭借3.8毫欧的超低导通电阻，让您轻松实现高达98%以上的转换效率，显著降低系统发热，同时其21A的连续电流承载能力确保了大功率应用的稳定运行。

更令人惊喜的是，它采用先进的PowerDI5060-8封装，在极小占位面积内提供了出色的散热性能，让您的设计既紧凑又高效。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，DMT3004LPS-13都能以卓越的开关特性（43.7nC低栅极电荷）和宽温度工作范围（-55°C~150°C），助您打造出更可靠、更具竞争力的电源解决方案。

• 型号:DMT3004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT3004LPS-13，Diodes产品一站式供应商。