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还在寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和紧凑尺寸的功率开关吗？DMT3006LFDF-13正是您的理想答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为要求严苛的汽车电子和高效电源应用而生。

它能让您的设计轻松驾驭高达14.1A的连续电流和30V的电压，而其核心魅力在于仅7毫欧的超低导通电阻，能大幅降低传导损耗，直接提升系统整体能效。结合3.7V的低驱动电压和22.6nC的低栅极电荷，它确保了快速、高效的开关性能，让您的电源转换更加迅捷平滑。

更重要的是，它通过了AEC-Q101车规认证，工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用节省空间的U-DFN封装。选择DMT3006LFDF-13，就是为您的高可靠性应用选择了一颗值得信赖的“高效能心脏”。

• 型号:DMT3006LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT3006LFDF-13，Diodes产品一站式供应商。