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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内处理大电流，同时保持超高可靠性的功率开关？DMT3006LFVQ-13正是为您而来的解决方案。这颗30V/60A的N沟道MOSFET，凭借其汽车级的品质和仅7毫欧的超低导通电阻，能让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅提升，热量显著降低。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，在节省宝贵PCB空间的同时，提供了优异的散热性能。无论是面对汽车电子严苛的环境，还是工业控制中持续的高负荷运行，它都能轻松应对，确保系统稳定可靠。选择DMT3006LFVQ-13，就是选择让您的设计更高效、更紧凑、更具竞争力。

• 型号:DMT3006LFVQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1155 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3006LFVQ-13，Diodes产品一站式供应商。